中華人民共和國國家標準(中國大陸GB標準)英文版 |
 |
GB標準是中華人民共和國國家標準，也叫GB國標，是中國大陸強制執行的國家標準，所有中國大陸境內銷售的商品及提供服務都必須符合GB國家標準的要求，包括進口商品及服務； 本網站提供GB國家標準的查詢檢索，英文版翻譯，GB標準產品檢測檢驗及合規性分析服務； |
|
SJ 50597/33-1995 半导体集成电路 ｊｂ２００型ｃｍｏｓ双路单刀单掷模拟开关详细规范（中英文版） Semiconductor integrated circuits. Detail specification for Type JB200 CMOS dual SPST analog switch |
 |
|
|
|
SJ 50597/32-1995 半导体集成电路 ｊｗ４８０５、ｊｗ４８１０、ｊｗ４８１２型三端低压差固定正输出电压调整器详细规范（中英文版） Semiconductor integrated circuits. Detail specification for Type JW4805, JW4810 and JW4812 three terminal low drop fixed output positive voltage regulators |
|
|
|
|
SJ 50033/89-1995 半导体分立器件 ｃｓ６７６８和ｃｓ６７７０型硅ｎ沟道增强型场效应晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for type ＣＳ６７６8and ＣＳ６７70 silicon N-channel deplition mode field-effect transistor |
|
|
|
|
SJ 50033/92-1995 半导体分立器件 ３ｃｄ１００型低频大功率晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for type 3CD100 low-frequency and high-power transistor |
|
|
|
|
SJ 51438/5-1995 ｐｍ２３型接触件间距为１．９０５ｍｍ的印制电路插头连接器详细规范（中英文版） Connectors, plug type PM23, for printed circuit(1.905mm spacing), detail specification for |
|
|
|
|
SJ 50033/88-1995 半导体分立器件 ｃｓ６７６０和ｃｓ６７６２型硅ｎ沟道增强型场效应晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for type ＣＳ６７６０and ＣＳ６７６２ silicon N-channel deplition mode field-effect transistor |
|
|
|
|
SJ 50033/90-1995 半导体分立器件 ３ｄｋ１０６型ｎｐｎ硅小功率开关晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for type 3DK106 NPN silicon low -- Power switching transistor |
|
|
|
|
SJ 50033/86-1995 半导体分立器件 ｃｓ５１１４～ｃｓ５１１６型硅ｐ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for type ＣＳ５１１４~ＣＳ５１１６ silicon P-channel deplition mode field-effect transistor |
|
|
|
|
SJ 50033/78-1995 半导体分立器件 ｃｓ０４６４型砷化镓微波场效应晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete devices. Detail specification for type CS0464 GaAs microwave FET |
|
|
|
|
SJ 50033/84-1995 半导体分立器件 ｃｓ１４０型硅ｎ沟道ｍｏｓ耗尽型场效应晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for type CS140 silicon N-channel MOS enhancement mode field-effect transistor |
|
|
|
|
SJ 50033/83-1995 半导体分立器件 ｃｓ１３９型硅ｐ沟道ｍｏｓ增强型场效应晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for type CS139 silicon P-channel MOS enhancement mode field-effect transistor |
|
|
|
|
SJ 50033/82-1995 半导体分立器件 ３ｄｋ１００型ｎｐｎ硅小功率开关晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for type 3DK100 NPN silicon low-power switching transistor |
|
|
|
|
SJ 50033/81-1995 半导体分立器件 ｃｓ０５２４型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete devices. Detail specification for type CS0524 GaAs microwave FET |
|
|
|
|
SJ 50033/80-1995 半导体分立器件 ｃｓ０５１３型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete devices. Detail specification for type CS0513 GaAs microwave FET |
|
|
|
|
SJ 50033/79-1995 半导体分立器件 ｃｓ０５３６型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete devices. Detail specification for type CS0536 GaAs microwave power FET |
|
|
|
|
SJ 50033/87-1995 半导体分立器件 ｃｓ４０９１～ｃｓ４０９３型硅ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for type ＣＳ４０９１~ＣＳ４０９３ silicon N-channel deplition mode field-effect transistor |
|
|
|
|
SJ 50033/64-1995 半导体分立器件 ３ｃｄ０１０型低频大功率晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for type 3CD010 Low. Frequency and high. Power transistor |
|
|
|
|
SJ 51438/4-1995 ｐｍ１５６型接触件间距为１．９０５ｍｍ的印制电路直角弯式插针连接器详细规范（中英文版） Connectors, plug right angle type PM156, for printed circuit(1.905mm spacing), detail specification for |
|
|
|
|
SJ 50033/91-1995 半导体分立器件 ３ｃｄ０３０型低频大功率晶体管详细规范（中英文版） Semiconductor discrete device. Detail specification for type 3CD030 low-fyequency and high-power transistor |
|
|
|
|
SJ 50033/57-1995 半导体光电子器件 ｇｆ115型红色发光二极管详细规范（中英文版） Semiconductor optoelectronic device. Detail specification for red light emitting diode for type GF115 |
|
| 找到:4194條目 | [首頁]-[上一頁]-[下一頁]-[尾頁] | 去到: [178] [179] [180] [181] [182] [183] [184] |
